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NAND FLASH一半区域全坏块的奇怪问题
来源: 互联网 发布时间：2016-10-24
本文导语: 产品改用一款新的SAMSUNG NAND FLASH,该NAND FLASH总容量4GB,内部为两个CELL，每个CELL为2GB，但共享一个CE线，现在驱动跑起来后，发现前面2GB的坏块数为几个并且写入读出测试都没问题，但后面的2GB全为坏块，修改驱动和...
产品改用一款新的SAMSUNG NAND FLASH,该NAND FLASH总容量4GB,内部为两个CELL，每个CELL为2GB，但共享一个CE线，现在驱动跑起来后，发现前面2GB的坏块数为几个并且写入读出测试都没问题，但后面的2GB全为坏块，修改驱动和程序对后2GB的区域进行强制ERASE也不能成功。请问大家知道可能的原因么？
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基本不可能， NAND的出厂坏块不可能大于1%， 肯定是驱动的访问方式出了问题
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是mlc的nand?你的坏块检查是怎么进行的？
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建议先将NANDFLASh全部擦除，然后在使用。
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