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CPU在读NAND FLASH时会访问每个page的校验区吗？
来源: 互联网 发布时间：2016-12-19
本文导语: 大家应该知道NAND FLASH每个page后是有一个校验空间的，我这颗NAND的每个page大小是2K+64，也就是说数据区是2K的，校验区是64 Byte的。系统CPU在读flash的时候会访问这个64 Byte的校验空间吗？ 我现在遇到一个问题，我在...
大家应该知道NAND FLASH每个page后是有一个校验空间的，我这颗NAND的每个page大小是2K+64，也就是说数据区是2K的，校验区是64 Byte的。系统CPU在读flash的时候会访问这个64 Byte的校验空间吗？
我现在遇到一个问题，我在链接2个bin文件后用烧录器烧录NAND FLASH，校验区数据全部写为FF，因为不知道校验数据究竟是多少，烧录进去后系统无法启动。而从已经用仿真器烧录好程序的FLASH中读出的数据截取前边512K byte左右的数据(包含ubl和uboot，系统启动必须），发现校验区的数据（64 byte）基本不为FF，我现在想问难道量产烧录NAND FLASH就只能通过先用仿真器烧录好，然后取下flash读出数据，然后再烧录新的flash吗？
我现在遇到一个问题，我在链接2个bin文件后用烧录器烧录NAND FLASH，校验区数据全部写为FF，因为不知道校验数据究竟是多少，烧录进去后系统无法启动。而从已经用仿真器烧录好程序的FLASH中读出的数据截取前边512K byte左右的数据(包含ubl和uboot，系统启动必须），发现校验区的数据（64 byte）基本不为FF，我现在想问难道量产烧录NAND FLASH就只能通过先用仿真器烧录好，然后取下flash读出数据，然后再烧录新的flash吗？
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nand的read操作完成之后 要做ECC校验的。所以会去读这个64byte的空间
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